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生产工艺
Production Process
备料
01
备料
准备一定量比例的多晶硅和掺杂剂,置入单晶炉内的石英坩埚中
晶体生长
02
晶体生长
利用单晶炉将半导体级多晶硅在最高温度达1500℃的热场中熔化,然后通过晶体生长拉制成用户所需的直径和电学参数的单晶硅锭。
滚圆
03
滚圆
将生长的单晶锭经过金刚石砂轮的外圆磨削加工,使磨削加工后的硅棒成为具有标准直径的圆柱体。
研磨
06
研磨
利用游星轮将硅片置于双面研磨机的上下磨盘之间,加入液体研磨料,使硅片随着磨盘作相对的行星运动,并对硅片分段加压进行双面研磨加工,改善片间和片内厚度公差提高硅片平整度和平行度。
倒角
05
倒角
对切片边缘轮廓进行金刚石砂轮磨削加工,以减少后续硅片加工及器件工艺中的碎片不良。
切片
04
切片
将经过滚圆工序的硅棒,切割成一定厚度的硅圆片。
抛光
07
抛光
利用抛光液对硅片表面的机械研磨和化学腐蚀的双重作用从而获得无加工损伤平整(镜面光滑)的硅片表面。
检验
08
检验
按硅片产品标准要求实施质量检测判定。
抛光片
09
抛光片
各类规格的高品质单晶硅片。
氧化膜边缘剥离机
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氧化膜边缘剥离机
氧化膜边缘剥离机用于剥离硅片边缘APCVD工艺生产的氧化膜,消除硅片边缘氧化膜对外延工艺的影响
LPVCD
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LPVCD
LPCVD炉用于硅片背面沉积本征多晶硅(i-poly),多晶硅膜起到吸除硅片内部金属离子的作用。用于增强型外吸杂工艺
APVCD
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APVCD
APCVD炉用于硅片背面沉积低温氧化膜(LTO),防止硅片外延工艺过程中硅片内部的掺杂剂通过背面溢出扩散到硅片正面的外延层中
核心技术
Core Technology
再投料直拉技术
再投料直拉技术
多次投料、提高设备效能和坩埚利用率、提升掺杂对档率。
磁场直拉单晶硅技术
磁场直拉单晶硅技术
可实现低氧含量、低晶格缺陷密度、径向掺杂均匀的直拉单晶产品。
半导体单晶金刚线多线切割
半导体单晶金刚线多线切割
金刚线多线切割技术,相比于传统的砂浆切割,切割速度更快、单片耗材更少、单片成本更低,且切片厚度更为均匀,是目前先进的材料加工技术。
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